ES660 系列 ESD 與 Latch-Up 測試系統是一套先進的多 Pin 自動化測試設備,專為現代半導體元件測試的高規格需求所設計。系統支援人體模型(HBM)、機器模型(MM)、Latch-Up(LU)及瞬態 Latch-Up(TLU)等多種測試,可全面評估積體電路(IC)及電子元件的可靠度與耐受能力。
ES660 採用新一代高規格架構,整體性能較前代 ES612A + RE64 Relay Expansion Module / ES660-P1-EM1 ATE Expansion Module 更為提升,可提供更高 Pin 數、更高耐壓及更完整的測試擴充能力。
高彈性 Pin 數與系統配置
ES660-P1 配置可依測試需求由 128 Pin 擴充至 1024/1280 Pin,並支援最多 10 Bus,適合具備大量連接端點的 IC、半導體元件及電子元件測試。
針對更高 Pin 數的測試需求,ES660-P1 可升級至 ES660-P2 配置。P2 採用高密度 Base Unit 主機板架構,最大可支援 2560 Pin 及 12 Bus,滿足大型及高 Pin 數元件的測試需求。
高電壓與高應力測試能力
最新 ES660 Base Unit 與 Relay Card 的 HV DC Bus 額定電壓最高可達 800+ V DC,標準電壓 Bus 最高可達 100 V DC,而 ESD 與 Leakage 路徑則可承受 1200+ V DC。
此高耐壓架構可支援高電壓 DC 及 Latch-Up 測試,例如最高可達 ±300 V 的 LU Bias 與 Stress,為高耐壓、高可靠度半導體元件提供完整的測試平台。
模組化架構與高速、低寄生設計
ES660 採用高度模組化設計,可因應未來更高 Pin 數及更高階測試需求進行升級,提供優異的系統擴充彈性。
系統透過最佳化高/中速 Relay 的控制時序,大幅提升測試速度;同時藉由高度 EMC 最佳化的低寄生 PCB 與機構設計,以及精心規劃的電流回流路徑(GND)架構,有效降低測試寄生效應,提升測試準確度與穩定性。
ES660 卓越的測試容量與自動化能力,可有效因應大型元件及高 Pin 數 Device 的測試需求,縮短測試時間並提升整體測試效率與產能。
主要特色
高度彈性的系統配置:可由 128 Pin 擴充至 2560 Pin,並支援 1~12 Bus高應力測試規格:
- HBM:最高 10 kV
- MM:最高 4 kV
- DC / Latch-Up Stress:最高 300 V / 1 A
- SMU Leakage:最高 1100 V
高速 ESD 測試:提供 10 P/S 及 15 P/S 選項,20+ P/S 高速版本持續開發中
多測試方法支援:相容於多種 ESD、LU 及 TLU 測試方法與相關標準
LU 波形擷取功能:可於軟體中擷取及顯示 LU Source 的電壓與電流波形,並提供多種配置選項,可搭配或不搭配示波器
ESD I-V 波形擷取:可搭配外部電壓及電流探棒,透過軟體擷取 ESD I-V 波形
Thermal Forcing Module(選配):可提供室溫至 200°C,或 -15°C 至 200°C 的溫度測試範圍
Multi-Protocol Preconditioning Module(選配):支援 Latch-Up 測試過程中的互動式裝置行為與前置條件控制
14 吋觸控螢幕:即時呈現測試進度與測試狀態,提升操作便利性
Transient Latch-Up 測試配置:可支援 TLP、EOS、Surge 等相關測試應用
半導體元件 ESD 測試
HBM(Human Body Model)測試
- ANSI/ESDA/JEDEC JS-001
- MIL-STD-883E
- AEC Q100-002
- ANSI/ESDA SP5.2
- JEDEC JESD78
- ANSI/ESD SP5.4.1(開發/申請中)



